TF2317 Todos los transistores

 

TF2317 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TF2317
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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TF2317 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2849K  cn tuofeng
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TF2317

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2317TF2317 P-Channel 20-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-23-3L0.028@-4.5V30.038@-2.5V -4.5A-20V1.GATE2.SOURCE0.050 @-1.8V3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETMARKING Equivalent CircuitLead free product is acquiredSurface mount packagew

 9.1. Size:1104K  cn tuofeng
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TF2317

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2312N-Channel 20-V(D-S) MOSFETTF2312V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.031@ 4.5V31.GATE20V0.037@ 2.5V 5.0A2.SOURCE3.DRAIN0.047@ 1.8V12General FEATURETrenchFET Power MOSFETEquivalent CircuitMARKINGLead free product is acquiredSurface mount packageAE9TF wA

 9.2. Size:3261K  cn tuofeng
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TF2317

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2310N-Channel 60-V(D-S) MOSFETTF2310V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.090@ 10V360V3.0 A1.GATE0.120@ 4.5 V2.SOURCE3.DRAIN12General Features VDS =60V,ID =3A RDS(ON)

Otros transistores... SIA517 , SLP6N70U , SLF6N70U , TF2015 , TF2301A , TF2302A , TF2307 , TF2312 , 2N7002 , TF2323 , TF2333 , TF2341 , TF2369 , TF3404 , TF3410 , TF3420 , TF68N75 .

History: IAUZ18N10S5L420 | FDS4070N3 | OSG80R650IF | SIHF640S | APT1201R2BFLLG | NDD01N60 | IXTQ180N085T

 

 
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