TF2333 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TF2333
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de TF2333 MOSFET
TF2333 Datasheet (PDF)
tf2333.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2333TF2333 P-Channel 12-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-23-3L0.026@-4.5V30.033@-2.5V -6.0A-15V1.GATE2.SOURCE0.055 @-1.8V3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETMARKING Equivalent CircuitLead free product is acquiredSurface mount packageO36
Otros transistores... SLF6N70U , TF2015 , TF2301A , TF2302A , TF2307 , TF2312 , TF2317 , TF2323 , AO4407A , TF2341 , TF2369 , TF3404 , TF3410 , TF3420 , TF68N75 , TF68N80 , RFM04U6P .
History: STLT19 | FDP150N10 | SGO4606T
History: STLT19 | FDP150N10 | SGO4606T
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337

