TF2333 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TF2333
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 15 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Encapsulados: SOT23
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TF2333 datasheet
tf2333.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS TF2333 TF2333 P-Channel 12-V(D-S) MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23-3L 0.026 @-4.5V 3 0.033 @-2.5V -6.0A -15V 1.GATE 2.SOURCE 0.055 @-1.8V 3.DRAIN 1 2 General FEATURE TrenchFET Power MOSFET MARKING Equivalent Circuit Lead free product is acquired Surface mount package O36
Otros transistores... SLF6N70U , TF2015 , TF2301A , TF2302A , TF2307 , TF2312 , TF2317 , TF2323 , AO4407A , TF2341 , TF2369 , TF3404 , TF3410 , TF3420 , TF68N75 , TF68N80 , RFM04U6P .
History: LDP9933ET1G | FDP027N08B | IRFH5304
History: LDP9933ET1G | FDP027N08B | IRFH5304
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
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