TF2333 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: TF2333 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 15 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: SOT23
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для TF2333
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TF2333 даташит
tf2333.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS TF2333 TF2333 P-Channel 12-V(D-S) MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23-3L 0.026 @-4.5V 3 0.033 @-2.5V -6.0A -15V 1.GATE 2.SOURCE 0.055 @-1.8V 3.DRAIN 1 2 General FEATURE TrenchFET Power MOSFET MARKING Equivalent Circuit Lead free product is acquired Surface mount package O36
Другие IGBT... SLF6N70U, TF2015, TF2301A, TF2302A, TF2307, TF2312, TF2317, TF2323, AO4407A, TF2341, TF2369, TF3404, TF3410, TF3420, TF68N75, TF68N80, RFM04U6P
History: PZ513BA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337

