TF3410 Todos los transistores

 

TF3410 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TF3410
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET TF3410

 

Principales características: TF3410

 ..1. Size:1464K  cn tuofeng
tf3410.pdf pdf_icon

TF3410

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 3410 TF TF N-Channel 30-V(D-S) MOSFET 3410 V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 0.028 @ 10V 3 1.GATE 30V 5.8A 0.033 @ 4.5V 2.SOURCE 3.DRAIN 1 0.042 @ 2.5V 2 General FEATURE Equivalent Circuit MARKING TrenchFET Power MOSFET Lead free product is acquired Surface mount package AA1TF w

 9.1. Size:1451K  cn tuofeng
tf3415.pdf pdf_icon

TF3410

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS TF3415 P-Channel 15-V(D-S) MOSFET TF3415 V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 SOT-23-3L / 0.039 @-4.5V 3 -15V 0.052 @-2.5V -4.3A 1.GATE 2.SOURCE 0.063 @-1.8V 3.DRAIN 1 2 General FEATURE TrenchFET Power MOSFET MARKING Equivalent Circuit Lead free product is acquired Surface mount packa

 9.2. Size:2974K  cn tuofeng
tf3414.pdf pdf_icon

TF3410

Otros transistores... TF2307 , TF2312 , TF2317 , TF2323 , TF2333 , TF2341 , TF2369 , TF3404 , IRF730 , TF3420 , TF68N75 , TF68N80 , RFM04U6P , SSM3J351R , SSM3J356R , SSM3J358R , SSM3J56ACT .

History: ZVN2110GTA | PT9435 | ZVNL110ASTOB | MTP4N90 | ZVN3310FTA | IPA60R180P7S | PSMN6R4-30MLD

 

 
Back to Top

 


 
.