TF3410 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TF3410  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SOT23

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de TF3410 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TF3410 datasheet

 ..1. Size:1464K  cn tuofeng
 tf3410.pdf pdf_icon

TF3410

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 3410 TF TF N-Channel 30-V(D-S) MOSFET 3410 V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 0.028 @ 10V 3 1.GATE 30V 5.8A 0.033 @ 4.5V 2.SOURCE 3.DRAIN 1 0.042 @ 2.5V 2 General FEATURE Equivalent Circuit MARKING TrenchFET Power MOSFET Lead free product is acquired Surface mount package AA1TF w

 9.1. Size:1451K  cn tuofeng
 tf3415.pdf pdf_icon

TF3410

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS TF3415 P-Channel 15-V(D-S) MOSFET TF3415 V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 SOT-23-3L / 0.039 @-4.5V 3 -15V 0.052 @-2.5V -4.3A 1.GATE 2.SOURCE 0.063 @-1.8V 3.DRAIN 1 2 General FEATURE TrenchFET Power MOSFET MARKING Equivalent Circuit Lead free product is acquired Surface mount packa

 9.2. Size:2974K  cn tuofeng
 tf3414.pdf pdf_icon

TF3410

Otros transistores... TF2307, TF2312, TF2317, TF2323, TF2333, TF2341, TF2369, TF3404, IRF730, TF3420, TF68N75, TF68N80, RFM04U6P, SSM3J351R, SSM3J356R, SSM3J358R, SSM3J56ACT