TF3420 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TF3420
Código: AN3TF*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 9 nC
Tiempo de subida (tr): 23 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 66 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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TF3420 Datasheet (PDF)
tf3420.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS3420TFN-Channel 20-V(D-S) MOSFETTF3420V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.024@ 10V31.GATE20V6.0A0.027@ 4.5V2.SOURCE3.DRAIN10.035@ 2.5V 2General FEATUREEquivalent CircuitMARKINGTrenchFET Power MOSFETLead free product is acquiredSurface mount packageAN3TF w
tf3423.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF3423TF3423 P-Channel 20-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.100@-4.5V-20V -2.0A30.130 @-2.5V1.GATE2.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETMARKING Equivalent CircuitLead free product is acquiredSurface mount packageAS3TF wAPPLICATION
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