TF3420 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TF3420  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: SOT23

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TF3420 datasheet

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TF3420

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 3420 TF N-Channel 20-V(D-S) MOSFET TF 3420 V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 0.024 @ 10V 3 1.GATE 20V 6.0A 0.027 @ 4.5V 2.SOURCE 3.DRAIN 1 0.035 @ 2.5V 2 General FEATURE Equivalent Circuit MARKING TrenchFET Power MOSFET Lead free product is acquired Surface mount package AN3TF w

 9.1. Size:682K  cn tuofeng
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TF3420

Otros transistores... TF2312, TF2317, TF2323, TF2333, TF2341, TF2369, TF3404, TF3410, IRFZ44N, TF68N75, TF68N80, RFM04U6P, SSM3J351R, SSM3J356R, SSM3J358R, SSM3J56ACT, SSM3K344R