TF3420 Todos los transistores

 

TF3420 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TF3420
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de TF3420 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TF3420 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1195K  cn tuofeng
 tf3420.pdf pdf_icon

TF3420

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS3420TFN-Channel 20-V(D-S) MOSFETTF3420V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.024@ 10V31.GATE20V6.0A0.027@ 4.5V2.SOURCE3.DRAIN10.035@ 2.5V 2General FEATUREEquivalent CircuitMARKINGTrenchFET Power MOSFETLead free product is acquiredSurface mount packageAN3TF w

 9.1. Size:682K  cn tuofeng
 tf3423.pdf pdf_icon

TF3420

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF3423TF3423 P-Channel 20-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.100@-4.5V-20V -2.0A30.130 @-2.5V1.GATE2.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETMARKING Equivalent CircuitLead free product is acquiredSurface mount packageAS3TF wAPPLICATION

Otros transistores... TF2312 , TF2317 , TF2323 , TF2333 , TF2341 , TF2369 , TF3404 , TF3410 , IRFZ44N , TF68N75 , TF68N80 , RFM04U6P , SSM3J351R , SSM3J356R , SSM3J358R , SSM3J56ACT , SSM3K344R .

History: HGP068N15S | ELM17408GA

 

 
Back to Top

 


 
.