TF3420 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TF3420
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TF3420
Principales características: TF3420
tf3420.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 3420 TF N-Channel 20-V(D-S) MOSFET TF 3420 V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 0.024 @ 10V 3 1.GATE 20V 6.0A 0.027 @ 4.5V 2.SOURCE 3.DRAIN 1 0.035 @ 2.5V 2 General FEATURE Equivalent Circuit MARKING TrenchFET Power MOSFET Lead free product is acquired Surface mount package AN3TF w
Otros transistores... TF2312 , TF2317 , TF2323 , TF2333 , TF2341 , TF2369 , TF3404 , TF3410 , IRFZ44N , TF68N75 , TF68N80 , RFM04U6P , SSM3J351R , SSM3J356R , SSM3J358R , SSM3J56ACT , SSM3K344R .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
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