ZVP2110G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZVP2110G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.31 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 8 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZVP2110G
ZVP2110G Datasheet (PDF)
zvp2110g.pdf
SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP2110GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD V D V 8D V V T T V VS V 8VD T I D T I V VG VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. V V T V IT V VD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T
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P-CHANNEL ENHANCEMENT0CZVP2110AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 100 Volt VDS* RDS(on)=8D G SE-LineTO92 CompatiblebleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITNITDrain-Source Voltage VDS -100 VVContinuous Drain Current at Tamb=25C ID -230 mAmAPulsed Drain Current IDM -3 AAGate Source Voltage VGS 20 VVPower Dis
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