TPCA8123 Todos los transistores

 

TPCA8123 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPCA8123
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 84 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 163 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0111 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

TPCA8123 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:357K  toshiba
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TPCA8123

TPCA8123MOSFET PMOS (U-MOS)TPCA8123TPCA8123TPCA8123TPCA81231. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) , (2) : RDS(ON) = 8.5 m () (VGS = -10 V)(3)

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TPCA8123

TPCA8124MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TPCA8124TPCA8124TPCA8124TPCA81241. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.1 m (typ.) (VGS = -10 V)(3) Low leakage current: IDSS

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TPCA8123

TPCA8125MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TPCA8125TPCA8125TPCA8125TPCA81251. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 19.6 m (typ.) (VGS = -10 V)(3) Low leakage current: IDSS

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TPCA8123

TPCA8120MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TPCA8120TPCA8120TPCA8120TPCA81201. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Lithium-Ion Secondary Batteries Power Management Switches2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small footprint due to a small and thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.4 m (typ.) (V

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