Справочник MOSFET. TPCA8123

 

TPCA8123 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPCA8123
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 84 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0111 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для TPCA8123

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPCA8123 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:357K  toshiba
tpca8123.pdfpdf_icon

TPCA8123

TPCA8123MOSFET PMOS (U-MOS)TPCA8123TPCA8123TPCA8123TPCA81231. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) , (2) : RDS(ON) = 8.5 m () (VGS = -10 V)(3)

 7.1. Size:240K  toshiba
tpca8124.pdfpdf_icon

TPCA8123

TPCA8124MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TPCA8124TPCA8124TPCA8124TPCA81241. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.1 m (typ.) (VGS = -10 V)(3) Low leakage current: IDSS

 7.2. Size:240K  toshiba
tpca8125.pdfpdf_icon

TPCA8123

TPCA8125MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TPCA8125TPCA8125TPCA8125TPCA81251. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 19.6 m (typ.) (VGS = -10 V)(3) Low leakage current: IDSS

 7.3. Size:231K  toshiba
tpca8120.pdfpdf_icon

TPCA8123

TPCA8120MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TPCA8120TPCA8120TPCA8120TPCA81201. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Lithium-Ion Secondary Batteries Power Management Switches2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small footprint due to a small and thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.4 m (typ.) (V

Другие MOSFET... SSM3K72KFS , SSM6J511NU , T2N7002AK , T2N7002BK , TK290P65Y , TK380P60Y , TK380P65Y , TK750A60F , IRF9540 , TPH1500CNH , TPH1R306PL , TPH1R403NL , TPH1R712MD , TPH2900ENH , TPH2R608NH , TPH3R506PL , TPH3R704PL .

History: TK70J04J3 | SI7463DP

 

 
Back to Top

 


 
.