TPHR9003NL Todos los transistores

 

TPHR9003NL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPHR9003NL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0009 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de TPHR9003NL MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TPHR9003NL datasheet

 ..1. Size:223K  toshiba
tphr9003nl.pdf pdf_icon

TPHR9003NL

TPHR9003NL MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TPHR9003NL TPHR9003NL TPHR9003NL TPHR9003NL 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge QSW = 16 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.

Otros transistores... TPH2R608NH , TPH3R506PL , TPH3R704PL , TPH3R70APL , TPH4R008NH , TPH4R10ANL , TPH8R008NH , TPHR6503PL , AO3401 , TPN11003NL , TPN11006NL , TPN1R603PL , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , TPW4R50ANH , TPWR8503NL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.