TPHR9003NL Todos los transistores

 

TPHR9003NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPHR9003NL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de TPHR9003NL MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TPHR9003NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  toshiba
 tphr9003nl.pdf pdf_icon

TPHR9003NL

TPHR9003NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPHR9003NLTPHR9003NLTPHR9003NLTPHR9003NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 16 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.

Otros transistores... TPH2R608NH , TPH3R506PL , TPH3R704PL , TPH3R70APL , TPH4R008NH , TPH4R10ANL , TPH8R008NH , TPHR6503PL , AO3400 , TPN11003NL , TPN11006NL , TPN1R603PL , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , TPW4R50ANH , TPWR8503NL .

History: NCE40P40K | WVM25N40 | SI4N60-TN3-T | IRLR3105PBF | 2SK1498 | SKS10N20 | HSM4435

 

 
Back to Top

 


 
.