TPHR9003NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TPHR9003NL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 78 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 220 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
   Carga de la puerta (Qg): 74 nC
   Tiempo de subida (tr): 9.6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2700 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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TPHR9003NL Datasheet (PDF)

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tphr9003nl.pdf

TPHR9003NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPHR9003NLTPHR9003NLTPHR9003NLTPHR9003NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 16 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.

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Liste

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