TPN11003NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TPN11003NL
   Código: 11003NL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSON8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TPN11003NL

TPN11003NL Datasheet (PDF)

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tpn11003nl.pdf

TPN11003NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPN11003NLTPN11003NLTPN11003NLTPN11003NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 2.0 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1

7.1. Size:234K toshiba
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TPN11006NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPN11006NLTPN11006NLTPN11006NLTPN11006NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 6.4 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resi

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TPN1110ENHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPN1110ENHTPN1110ENHTPN1110ENHTPN1110ENH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 2.6 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resista

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