ZVP3310A Todos los transistores

 

ZVP3310A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZVP3310A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 20 Ohm
   Paquete / Cubierta: ELINE
 

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ZVP3310A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:88K  diodes
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ZVP3310A

P-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVP3310AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D DE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V V ID VD V V I I V

 0.1. Size:65K  diodes
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ZVP3310A

P-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVP3310AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D DE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V V ID VD V V I I V

 7.1. Size:91K  diodes
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ZVP3310A

SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT0F ZVP3310FMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 OCTOBER 1995 T V I VD S D D T T V G T I D T I I ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V Vs Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V V I

 7.2. Size:118K  diodes
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ZVP3310A

SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT0F ZVP3310FMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 OCTOBER 1995 T V I VD S D D T T V G T I D T I I ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V Vs Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V V I

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