ZVP4105A Todos los transistores

 

ZVP4105A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZVP4105A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.175 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
   Paquete / Cubierta: ELINE
     - Selección de transistores por parámetros

 

ZVP4105A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  diodes
 zvp4105a.pdf pdf_icon

ZVP4105A

P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP4105AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D I DE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V 8 V ID VD V V I I

 0.1. Size:40K  diodes
 zvp4105astoa zvp4105astob zvp4105astz.pdf pdf_icon

ZVP4105A

P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP4105AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D I DE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V 8 V ID VD V V I I

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History: DH100P35E | 2N7000TA | FQD4P25TMWS | DH100P35B

 

 
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