WSD80120DN56 Todos los transistores

 

WSD80120DN56 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSD80120DN56

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 395 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8

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WSD80120DN56 datasheet

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WSD80120DN56

WSD80120DN56 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD80120DN56 is the highest ID BVDSS RDSON performance trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide 85V 3.7m 120A excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD80120DN56 meet the RoHS and Green Product requirement,100% EA

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WSD80120DN56

WSD80100DN56 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD80100DN56 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate 80V 100A 6.1m charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD80100DN56 meet the RoHS and Green DC-DC converter switching fo

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History: WSD2012DN25 | WSD6056DN56

 

 

 

 

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