WSD80120DN56 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WSD80120DN56
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 104 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 85 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 54 nC
   Tiempo de subida (tr): 18 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 395 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8

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WSD80120DN56 Datasheet (PDF)

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WSD80120DN56 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD80120DN56 is the highest ID BVDSS RDSON performance trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide 85V 3.7m 120Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD80120DN56 meet the RoHS and Green Product requirement,100% EA

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