WSF07N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSF07N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30.2 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
Encapsulados: TO252
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WSF07N20 datasheet
wsf07n20.pdf
WSF07N20 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF07N20 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 200V 0.49 7A of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF07N20 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with
wsf07n10.pdf
WSF07N10 N-Ch MOSFET Product Summery General Description The WSF07N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell 195m 7A density , which provide excellent RDSON and 100V gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF07N10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronou
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History: WSD2012DN25 | WSD6056DN56
History: WSD2012DN25 | WSD6056DN56
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