Справочник MOSFET. WSF07N20

 

WSF07N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSF07N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WSF07N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF07N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:592K  winsok
wsf07n20.pdfpdf_icon

WSF07N20

WSF07N20 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF07N20 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 200V 0.49 7Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSF07N20 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with

 8.1. Size:1105K  winsok
wsf07n10.pdfpdf_icon

WSF07N20

WSF07N10 N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSF07N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell 195m 7Adensity , which provide excellent RDSON and 100Vgate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF07N10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronou

Другие MOSFET... WSD80100DN56 , WSD80120DN56 , WSD90P06DN56 , WSE3088 , WSE3099 , WSE9968 , WSE9968A , WSF07N10 , IRFB4227 , WSF09N20 , WSF09N20G , WSF10N40 , WSF12N10 , WSF15N10 , WSF15N10A , WSF15N10G , WSF15P10 .

History: WSP4099 | IPI65R600C6 | PSMN013-30MLC | STU413S | MTB12P04J3 | WNMD2165 | NCEP065N85

 

 
Back to Top

 


 
.