WSF07N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WSF07N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 10.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30.2 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
Тип корпуса: TO252
WSF07N20 Datasheet (PDF)
wsf07n20.pdf
WSF07N20 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF07N20 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 200V 0.49 7Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSF07N20 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with
wsf07n10.pdf
WSF07N10 N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSF07N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell 195m 7Adensity , which provide excellent RDSON and 100Vgate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF07N10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronou
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918