WSF07N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WSF07N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 10.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30.2 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
Тип корпуса: TO252
WSF07N20 Datasheet (PDF)
wsf07n20.pdf
WSF07N20 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF07N20 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 200V 0.49 7Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSF07N20 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with
wsf07n10.pdf
WSF07N10 N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSF07N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell 195m 7Adensity , which provide excellent RDSON and 100Vgate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF07N10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronou
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100