WSF09N20 Todos los transistores

 

WSF09N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSF09N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51.2 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: TO252

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WSF09N20 datasheet

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WSF09N20

WSF09N20 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF09N20 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 200V 0.21 9A of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF09N20 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with

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WSF09N20

WSF09N20G N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF09N20G is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate 200V 0.21 9A charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF09N20G meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

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History: WSD4050DN | SI2319 | WSF12N10 | IRFB4615 | WSF3036A | BRD50N03

 

 

 

 

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