WSF35P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSF35P06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 31.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 12.4 nC
Tiempo de subida (tr): 20.1 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 76 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WSF35P06
WSF35P06 Datasheet (PDF)
wsf35p06.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WSF35P06P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF35P06 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -60V 80m -13.5Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF35P06 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guarante
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .