WSF6012 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSF6012
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
Encapsulados: TO252-4L
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WSF6012 datasheet
wsf6012.pdf
WSF6012 N&P-Channel MOSFET General Description Product Summery The WSF6012 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch and P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent 60V 28m 20A RDSON and gate charge for most of the -60V 46m -15A synchronous buck converter applications . The WSF6012 meet the RoHS and Green Applications Product requir
wsf60100.pdf
WSF60100 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF60100 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 60V 6m 98A gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF60100 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronous
wsf60n06.pdf
WSF60N06 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF60N06 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 60V 10m 60A gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF60N06 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronous
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