WSF70P03 Todos los transistores

 

WSF70P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WSF70P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 52.1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 57 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 33 nC
   Tiempo de subida (tr): 17.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 508 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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WSF70P03 Datasheet (PDF)

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WSF70P03
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WSF70P03 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF70P03 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -30V 7.5m -65Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF70P03 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guarantee

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WSF70P03
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WSF70N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF70N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 100V 10m 70Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF70N10 meet the RoHS and Green Power Management in TV Converter. Prod

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