WSF70P03 - описание и поиск аналогов

 

WSF70P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSF70P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 508 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WSF70P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF70P03 даташит

 ..1. Size:586K  winsok
 wsf70p03.pdf pdf_icon

WSF70P03

WSF70P03 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF70P03 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -30V 7.5m -65A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF70P03 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guarantee

 9.1. Size:693K  winsok
 wsf70n10.pdf pdf_icon

WSF70P03

WSF70N10 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF70N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 100V 10m 70A gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF70N10 meet the RoHS and Green Power Management in TV Converter. Prod

Другие MOSFET... WSF50N10 , WSF50N10G , WSF50P04 , WSF50P10 , WSF60100 , WSF6012 , WSF60N06 , WSF70N10 , IRF520 , WSF80N06H , WSF90P03 , WSG02N20 , WSG02P06 , WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 , WSK200N08A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.