WSG02N20 Todos los transistores

 

WSG02N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSG02N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.41 Ohm

Encapsulados: SOT223

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WSG02N20 datasheet

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WSG02N20

WSG02N20 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSG02N20 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge 2A 200V 310m for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSG02N20 meet the RoHS and Green Product requirement with full fu

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WSG02N20

WSG02P06 P-Ch MOSFET General Description Product Summery This P-Channel enhancement mode power BVDSS RDSON ID FETs are produced with high cell density, DMOS trench technology, which is especially used to -60V 215m -2A minimize on-state resistance. This device is particularly suited for low voltage application Applications such as portable equipment, power management and o

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History: FDS8840NZ | TPCS8204 | FDS86252 | TPCS8101 | TPCS8102 | FDS8638 | TPCS8105

 

 

 

 

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