WSG02N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WSG02N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 18 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 51.7 nC
Время нарастания (tr): 32.1 ns
Выходная емкость (Cd): 68 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.41 Ohm
Тип корпуса: SOT223
WSG02N20 Datasheet (PDF)
wsg02n20.pdf
WSG02N20 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSG02N20 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge 2A200V 310mfor most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSG02N20 meet the RoHS and Green Product requirement with full fu
wsg02p06.pdf
WSG02P06P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThis P-Channel enhancement mode power BVDSS RDSON ID FETs are produced with high cell density, DMOS trench technology, which is especially used to -60V 215m -2Aminimize on-state resistance. This device is particularly suited for low voltage application Applications such as portable equipment, power management and o
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
