WSP4606 Todos los transistores

 

WSP4606 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WSP4606
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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WSP4606 Datasheet (PDF)

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WSP4606N-Ch and P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP4606 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 30V 18m 7Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . -6A-30V 30mThe WSP4606 meet the RoHS and Green Applications Produc

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WSP4606AN-Ch and P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP4606A is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent 30V 22m 6.8ARDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . -5.6A-30V 45mThe WSP4606A meet the RoHS and Green Applications

 9.1. Size:1005K  winsok
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WSP4620N-Ch and P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP4620 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 30V 18m 8.8Agate charge for most of the synchronous buck -30V 22m -8.6Aconverter applications . The WSP4620 meet the RoHS and Green Applications P

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