WSP8810 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSP8810
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
Encapsulados: TSSOP8
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WSP8810 datasheet
wsp8810.pdf
WSP8810 Dual N-Channel MOSFET Product Summery General Description The WSP8810 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 20V 11.5m 7.5A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSP8810 meet the RoHS and Green Product requirement w
wsp8810a.pdf
WSP8810A Dual N-Channel MOSFET Product Summery General Description The WSP8810A is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell 20V 14.5m 7.0A density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSP8810A meet the RoHS and Green High Frequency Po
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