WST05N10L Todos los transistores

 

WST05N10L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WST05N10L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.7 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

WST05N10L Datasheet (PDF)

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WST05N10L

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WST05N10L

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History: 2SK685 | 3SK232 | P5102FM | AOC2802 | SSP2N60A | IRFS251 | IRFS331

 

 
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