WST05N10L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WST05N10L  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm

Encapsulados: SOT23

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WST05N10L datasheet

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WST05N10L

WST05N10L N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WST05N10L is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell 100V 120m 3.0A density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST05N10L meet the RoHS and Green Battery protection Pr

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WST05N10L

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