Справочник MOSFET. WST05N10L

 

WST05N10L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WST05N10L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для WST05N10L

 

 

WST05N10L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1810K  winsok
 wst05n10l.pdf

WST05N10L WST05N10L

WST05N10L N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST05N10L is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell 100V 120m 3.0Adensity , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST05N10L meet the RoHS and Green Battery protection Pr

 6.1. Size:907K  winsok
 wst05n10.pdf

WST05N10L WST05N10L

WST05N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST05N10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , 100V 135m 2.8Awhich provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST05N10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Lo

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top