WST3392 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WST3392
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.15 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 4.05 nC
Tiempo de subida (tr): 1.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 35 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-6L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WST3392
WST3392 Datasheet (PDF)
wst3392.pdf
WST3392Dual N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST3392 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFETs with extreme high cell 3.7A30V 40mdensity , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST3392 meet the RoHS and Green Product requirement with full
wst3325.pdf
WST3325 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryTheWST3325 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate -20V 42m -5.6Acharge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST3325 meet the RoHS and Green Product requirement , with full
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