WST6225 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WST6225
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 12.1 nC
Tiempo de subida (tr): 45 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 108 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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WST6225 Datasheet (PDF)
wst6225.pdf
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WST6225 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryTheWST6225 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -20V 42m -5.1Afor most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST6225 meet the RoHS and Green Product requirement , with full fu
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