WST6225 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WST6225
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 12.1 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de WST6225 MOSFET
WST6225 Datasheet (PDF)
wst6225.pdf

WST6225 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryTheWST6225 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -20V 42m -5.1Afor most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST6225 meet the RoHS and Green Product requirement , with full fu
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History: IRL3103D2PBF
History: IRL3103D2PBF



Liste
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