WST8205A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WST8205A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Encapsulados: SOT23-6L
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WST8205A datasheet
wst8205a.pdf
WST8205A Dual N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WST8205A is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 20V 32m 5.3A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST8205A meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load
wst8205.pdf
WST8205 Dual N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WST8205 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 20V 24m 5.8A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST8205 meet the RoHS and Green Product High Frequency Point-
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