WNM6002 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WNM6002
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.31 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.33 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Encapsulados: SOT323
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WNM6002 datasheet
wnm6002.pdf
WNM6002 W 2 WNM6002 Single N-Channel, 60V, 0.30A, Power MOSFET Http// www.sh-willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( ) D 1.4@ VGS=10V 60 1.7@ VGS=4.5V ESD Rating 2000V HBM S G Descriptions SOT-323 The WNM6 is N-C enhancement M Field 6002 Channel MOS D Effect Transistor. Uses trench techn s advanced t nology and 3 design to provide excellent RDS(ON) with low ga ate cha
wnm6001.pdf
WNM6001 WNM6001 Single N-Channel, 60V, 0.50A, Power MOSFET Http// www.sh-willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( ) 1.4@ VGS=10V 60 1.7@ VGS=4.5V ESD Rating 2000V HBM SOT-23 Descriptions The WNM6001 is N-Channel enhancement D MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench 3 technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is suitable
ywnm6001.pdf
YWNM6001 SOT-23 Small Signal MOSFET 380 mAmps, 60 Volts N Channel 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable. ESD Protected 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Otros transistores... WSTBSS138 , WCM2079 , WNM01N10 , WNM2016A , WNM2046C , WNM2077 , WNM3018 , WNM3025 , IRF630 , WNM7002 , WNMD2167 , WPM2081 , WPM2083 , WPM2087 , WPM3020 , WPM3021 , WPM3022 .
History: FDMA86265P
History: FDMA86265P
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Liste
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