WNM6002 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WNM6002
Código: 62*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.31 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.28 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 1.2 nC
Tiempo de subida (tr): 5.1 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 7.33 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT323
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WNM6002
WNM6002 Datasheet (PDF)
wnm6002.pdf
WNM6002W 2 WNM6002 Single N-Channel, 60V, 0.30A, Power MOSFET Http//:www.sh-willsemi.com VDS (V) Rds(on) () D1.4@ VGS=10V 60 1.7@ VGS=4.5V ESD Rating:2000V HBM S GDescriptions SOT-323 The WNM6 is N-C enhancement M Field 6002 Channel MOS D Effect Transistor. Uses trench techns advanced t nology and 3 design to provide excellent RDS(ON) with low gaate cha
wnm6001.pdf
WNM6001 WNM6001 Single N-Channel, 60V, 0.50A, Power MOSFET Http//:www.sh-willsemi.com VDS (V) Rds(on) () 1.4@ VGS=10V 60 1.7@ VGS=4.5V ESD Rating:2000V HBM SOT-23 Descriptions The WNM6001 is N-Channel enhancement D MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench 3 technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is suitable
ywnm6001.pdf
YWNM6001SOT-23Small Signal MOSFET380 mAmps, 60 Volts NChannel 1. FEATURESWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable.ESD Protected2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
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