WPT2N32 Todos los transistores

 

WPT2N32 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WPT2N32
   Código: 2N32
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.86 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 102 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L
     - Selección de transistores por parámetros

 

WPT2N32 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:347K  willsemi
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WPT2N32

WPT2N32 WPT2N32 Single, PNP, -30V, -1A, Power Transistor with Http//:www.willsemi.com 20V N-MOSFET Descriptions The WPT2N32 is PNP bipolar power transistor with 20V N-MOSFET. This device is suitable for use in charging circuit and other power management. DFN2x2-6L Standard Product WPT2N32 is Pb-free. C 6 1 E C B G 5 2 DFeatures D3 S 4 Ultra low collec

 8.1. Size:1363K  willsemi
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WPT2N32

WPT2N31 WPT2N31 Http://www.sh-willsemi.com Single, PNP, -30V, -3A, Power Transistor with 20V N-MOSFET Descriptions The WPT2N31 is PNP bipolar power transistor with 20V N-MOSFET. This device is suitable for use in charging circuit and other power management. Standard Product WPT2N31 is Pb-free. Pin configuration (Top view) Features Ultra low collector-to-emitter satu

 9.1. Size:807K  willsemi
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WPT2N32

WPT2N41 WPT2N41 Single, PNP, -30V, -3A, Power Transistor Http://www.sh-willsemi.com Descriptions The WPT2N41 is PNP bipolar power transistor with very low saturation voltage. This device is suitable for use in charging circuit and power management. Standard Product WPT2N41 is Pb-free. Pin configuration (Top view) Features Ultra low collector-to-emitter saturation volta

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History: WSD2018DN22

 

 
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