SE150110G Todos los transistores

 

SE150110G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE150110G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2046 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm

Encapsulados: TO220 TO263 TO247

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SE150110G datasheet

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SE150110G

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SE150110G

SE150180G N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features For a single MOSFET Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and V = 150V DS low operation voltage. This device is R =4.4m @V =10V DS(ON) GS suitable for using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

 8.2. Size:339K  cn sino-ic
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SE150110G

SE150180GTS N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features For a single MOSFET Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and V = 150V DS low operation voltage. This device is R =4.8m @V =10V DS(ON) GS suitable for using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outlin

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