SE150180G Todos los transistores

 

SE150180G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE150180G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: TO247 TO263

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SE150180G datasheet

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SE150180G

SE150180G N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features For a single MOSFET Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and V = 150V DS low operation voltage. This device is R =4.4m @V =10V DS(ON) GS suitable for using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

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SE150180G

SE150180GTS N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features For a single MOSFET Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and V = 150V DS low operation voltage. This device is R =4.8m @V =10V DS(ON) GS suitable for using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outlin

 8.1. Size:490K  cn sino-ic
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SE150180G

Otros transistores... SE100P60 , SE120120G , SE12060GA , SE1216 , SE12N50FRA , SE12N65 , SE138U , SE150110G , IRFP250 , SE150180GTS , SE15N50FRA , SE18NS65A , SE1991G , SE1991GA , SE200100G , SE20040 , SE20075 .

History: FDMS8848NZ | SVT085R5NL5TR | FCP190N65F | NTD80N02-1G | RCJ050N25 | H04N65E | AOD4124

 

 

 

 

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