SE40160A Todos los transistores

 

SE40160A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE40160A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 898 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SE40160A Datasheet (PDF)

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SE40160A

SE40160AN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =4m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurationsSe

 9.1. Size:1265K  cn sino-ic
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SE40160A

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SE40160A

SE40150N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V = 40VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R = 1.9m @ V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurations

Otros transistores... SE30P12D , SE30P50 , SE30P50B , SE3205A , SE3401B , SE3N150P , SE40120A , SE40150 , IRF540 , SE4020B , SE40300GTS , SE4060 , SE6080S , SE8090S , SE4060GB , SE40P20B , SE4435 .

History: BSC0921NDI | STT04N20 | 2SK2793 | TMA2N60H | BSC0906NS | SM6032NSG | WNM2016-3

 

 
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