SE4060 Todos los transistores

 

SE4060 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE4060

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SE4060 datasheet

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SE4060

May 2015 SE4060,SE6080S,SE8090S N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =7m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device

 0.1. Size:340K  cn sino-ic
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SE4060

SE4060GB N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =45V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =7.5m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations

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History: AP70SL1K4BJB | CS10N80P | LSF60R280HT | BSZ440N10NS3G

 

 

 

 

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