SE40P20B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE40P20B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 80 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 72 nC
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 370 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE40P20B
SE40P20B Datasheet (PDF)
se40p20b.pdf
SE40P20BP-Channel MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis series is a high voltage power MOSFET For a single MOSFETand is designed to have better characteristics, V =-40VDSsuch as fast switching time, low gate charge, R =26m @V =-10VDS(ON) GSlow on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristicsPin configurationsSee Diagram below
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