SE4610 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE4610
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 13.8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
SE4610 Datasheet (PDF)
se4610.pdf

SE4610Complementary Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For N-Channel MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V =25VDSoperation voltage. This device is suitable for using R =18m @V =4.5VDS(ON) GSas a load switch or in PWM applications. Low R For P-Channel MOSFETDS(on) Small Packag
Otros transistores... SE8090S , SE4060GB , SE40P20B , SE4435 , SE4606 , SE4606L , SE4606S , SE4607 , IRFB4227 , SE4625 , SE47NS65TS , SE4942B , SE4946 , SE4953 , SE4N65 , SE540A , SE6003C .



Liste
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