SE4610 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE4610
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
Encapsulados: SOP8
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SE4610 datasheet
se4610.pdf
SE4610 Complementary Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Advanced trench technology to provide For N-Channel MOSFET excellent RDS(ON), low gate charge and low V =25V DS operation voltage. This device is suitable for using R =18m @V =4.5V DS(ON) GS as a load switch or in PWM applications. Low R For P-Channel MOSFET DS(on) Small Packag
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