SE4610 Todos los transistores

 

SE4610 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE4610
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SE4610 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:712K  cn sino-ic
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SE4610

SE4610Complementary Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For N-Channel MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V =25VDSoperation voltage. This device is suitable for using R =18m @V =4.5VDS(ON) GSas a load switch or in PWM applications. Low R For P-Channel MOSFETDS(on) Small Packag

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