SE4946 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE4946
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 47.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 28.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE4946
SE4946 Datasheet (PDF)
se4946.pdf
SHANGHAI July 2007 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE4946 Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision:A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide VDS (V) = 60V the best combination of fast switching, low ID = 6.5A (VGS = 10V) on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) =41m (VGS = 10V) RDS(ON) =52m (VGS = 4.5V) Pin configurations Se
se4942b.pdf
May 2015SE4942BN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =7m @V =10VDS(ON) GSFOM R =16m @V =4.5VDS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline
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Liste
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