Справочник MOSFET. SE4946

 

SE4946 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SE4946
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 47.6 nC
   Время нарастания (tr): 28.9 ns
   Выходная емкость (Cd): 155 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для SE4946

 

 

SE4946 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  cn sino-ic
 se4946.pdf

SE4946 SE4946

SHANGHAI July 2007 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE4946 Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision:A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide VDS (V) = 60V the best combination of fast switching, low ID = 6.5A (VGS = 10V) on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) =41m (VGS = 10V) RDS(ON) =52m (VGS = 4.5V) Pin configurations Se

 9.1. Size:801K  cn sino-ic
 se4942b.pdf

SE4946 SE4946

May 2015SE4942BN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =7m @V =10VDS(ON) GSFOM R =16m @V =4.5VDS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top