SE4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE4953
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de SE4953 MOSFET
SE4953 Datasheet (PDF)
se4953.pdf
SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE4953 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision:A Features VDS = -30V,ID = -4.9A RDS(ON)
Otros transistores... SE4606L , SE4606S , SE4607 , SE4610 , SE4625 , SE47NS65TS , SE4942B , SE4946 , 2SK3878 , SE4N65 , SE540A , SE6003C , SE60120B , SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB .
History: GSM4953S | AP05N50EI-HF | HAT1097RJ
History: GSM4953S | AP05N50EI-HF | HAT1097RJ
Liste
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