SE4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE4953
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 10 nC
Tiempo de subida (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE4953
SE4953 Datasheet (PDF)
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SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE4953 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision:A Features VDS = -30V,ID = -4.9A RDS(ON)
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