SE4953 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SE4953
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 3 ns
Выходная емкость (Cd): 90 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm
Тип корпуса: SOP8
SE4953 Datasheet (PDF)
..1. Size:241K cn sino-ic
se4953.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
se4953.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE4953 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision:A Features VDS = -30V,ID = -4.9A RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .