SE6880A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SE6880A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 94 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE6880A

SE6880A Datasheet (PDF)

..1. Size:392K cn sino-ic
se6880a.pdf

SE6880AN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesFor a single MOSFETAdvanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and low V =70VDSoperation voltage. This device is suitable for R =6.3m @V =10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWMapplications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

8.1. Size:752K china
se6880.pdf

Oct 2014 SE6880 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision: A General Description Features This type used advanced trench technology and For a single MOSFET design to provide excellent RDS(ON) with low gate VDS = 68V charge. RDS(ON) = 7m @ VGS=10V High density cell design for ultra low R DS(ON) Excellent package for good heat dissipation Pin configurations See

8.2. Size:752K cn sino-ic
se6880.pdf

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