SE6880A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE6880A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 70 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: TO220
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SE6880A datasheet
se6880a.pdf
SE6880A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features For a single MOSFET Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low V =70V DS operation voltage. This device is suitable for R =6.3m @V =10V DS(ON) GS using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline
se6880.pdf
Oct 2014 SE6880 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology and For a single MOSFET design to provide excellent RDS(ON) with low gate VDS = 68V charge. RDS(ON) = 7m @ VGS=10V High density cell design for ultra low R DS(ON) Excellent package for good heat dissipation Pin configurations See
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Otros transistores... SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , SE6050B , SE6080A , SE60P20B , SE630K , 4435 , SE720 , SE7314 , SE7401P , SE7401U , SE80100GA , SE80130G , SE80130GA , SE80160G .
History: 2SK3084 | 2SJ234S | G30N20F | AP4606CS | AP4953
History: 2SK3084 | 2SJ234S | G30N20F | AP4606CS | AP4953
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