SE80250G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE80250G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
Encapsulados: TO220
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SE80250G datasheet
se80250g.pdf
SE80250G N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =80V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =2.0m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations
kse800 kse801 kse802 kse803.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Otros transistores... SE720 , SE7314 , SE7401P , SE7401U , SE80100GA , SE80130G , SE80130GA , SE80160G , IRFB3607 , SE8090A , SE8090G , SE8205A , SE8209 , SE85130GA , SE85210 , SE8810 , SE8810A .
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