SE8831A Todos los transistores

 

SE8831A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE8831A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

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SE8831A datasheet

 ..1. Size:395K  cn sino-ic
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SE8831A

Jul 2014 SE8831A Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =20V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =15.5m @V =4.5V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin

 9.1. Size:503K  cn sino-ic
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SE8831A

SHANGHAI Feb 2013 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8830T/8830A SED8830MP/8830/8830P/SED8830N Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision A 8830 Series Pin Assignment Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON)

Otros transistores... SE8810 , SE8810A , SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , 10N65 , SE8841A , SE8N65A , SE9435 , SE9926 , SED10070GG , SED10080GG , SED14N65G , SED2145 .

History: SVT10500PD | 2N6845U | AOD4132 | ES4953 | CM110N055 | ZXMP3A17E6 | MDU1511RH

 

 

 

 

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