Справочник MOSFET. SE8831A

 

SE8831A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE8831A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SE8831A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  cn sino-ic
 se8831a.pdf pdf_icon

SE8831A

Jul 2014SE8831ADual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =20VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =15.5m @V =4.5VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin

 9.1. Size:503K  cn sino-ic
 se8830t se8830a sed8830mp sed8830 sed8830p sed8830n.pdf pdf_icon

SE8831A

SHANGHAI Feb 2013 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8830T/8830A SED8830MP/8830/8830P/SED8830N Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:A 8830 Series Pin Assignment Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON)

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.