SE8831A - аналоги и даташиты транзистора

 

SE8831A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SE8831A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для SE8831A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE8831A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  cn sino-ic
 se8831a.pdf pdf_icon

SE8831A

Jul 2014SE8831ADual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =20VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =15.5m @V =4.5VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin

 9.1. Size:503K  cn sino-ic
 se8830t se8830a sed8830mp sed8830 sed8830p sed8830n.pdf pdf_icon

SE8831A

SHANGHAI Feb 2013 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8830T/8830A SED8830MP/8830/8830P/SED8830N Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:A 8830 Series Pin Assignment Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON)

Другие MOSFET... SE8810 , SE8810A , SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , 10N65 , SE8841A , SE8N65A , SE9435 , SE9926 , SED10070GG , SED10080GG , SED14N65G , SED2145 .

History: EFC4K105NUZ | CS10N60P | UPA1760G | IPI075N15N3 | H2305N

 

 
Back to Top

 


 
.