SED10070GG Todos los transistores

 

SED10070GG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SED10070GG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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SED10070GG datasheet

 ..1. Size:415K  cn sino-ic
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SED10070GG

SED10070GG N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features For a single MOSFET Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low V =100V DS operation voltage. This device is suitable for R =8.2m @V =10V DS(ON) GS using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

 8.1. Size:415K  cn sino-ic
 sed10080gg.pdf pdf_icon

SED10070GG

SED10080GG N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features For a single MOSFET Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low V =100V DS operation voltage. This device is suitable for R =6.7m @V =10V DS(ON) GS using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

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History: SE150110G | SFS06R10DF

 

 

 

 

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