SED10070GG - описание и поиск аналогов

 

SED10070GG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SED10070GG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SED10070GG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SED10070GG даташит

 ..1. Size:415K  cn sino-ic
 sed10070gg.pdf pdf_icon

SED10070GG

SED10070GG N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features For a single MOSFET Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low V =100V DS operation voltage. This device is suitable for R =8.2m @V =10V DS(ON) GS using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

 8.1. Size:415K  cn sino-ic
 sed10080gg.pdf pdf_icon

SED10070GG

SED10080GG N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features For a single MOSFET Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low V =100V DS operation voltage. This device is suitable for R =6.7m @V =10V DS(ON) GS using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

Другие MOSFET... SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A , SE8841A , SE8N65A , SE9435 , SE9926 , 18N50 , SED10080GG , SED14N65G , SED2145 , SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M , SED3081M .

History: S15H11R | AP4501AGM-HF | CS24N50ANHD | SI7129DN | AO3451 | IRLR7811WCPBF | AO3495

 

 

 

 

↑ Back to Top
.