APM2317A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APM2317A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Encapsulados: SOT23
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APM2317A datasheet
apm2317a.pdf
APM2317A P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -20V/-4.5A , D RDS(ON)=28m (typ.) @ VGS=-4.5V S RDS(ON)=38m (typ.) @ VGS=-2.5V G RDS(ON)=55m (typ.) @ VGS=-1.8V Top View of SOT-23-3 Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications G Power Management in Notebook Com
apm2317ac.pdf
APM2317AC www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIO
apm2317.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd APM2317 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -20V/-4.5A , RDS(ON)=28m (typ.) @ VGS=-4.5V RDS(ON)=38m (typ.) @ VGS=-2.5V RDS(ON)=55m (typ.) @ VGS=-1.8V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications G Power Management
apm2318a.pdf
APM2318A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/3A , D RDS(ON)=35m (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=40m (typ.) @ VGS=4.5V G RDS(ON)=60m (typ.) @ VGS=2.5V S Super High Dense Cell Design Top View of SOT-23 Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant) D Applications G Power Management in
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History: JCS4N60CB | 2SK3496-01MR | SM4804DSK | LPM2301B3F | SM7340EHKP | SM2323PSA
History: JCS4N60CB | 2SK3496-01MR | SM4804DSK | LPM2301B3F | SM7340EHKP | SM2323PSA
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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