APM2317A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APM2317A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de APM2317A MOSFET
APM2317A Datasheet (PDF)
apm2317a.pdf

APM2317A P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -20V/-4.5A ,DRDS(ON)=28m (typ.) @ VGS=-4.5VSRDS(ON)=38m (typ.) @ VGS=-2.5VG RDS(ON)=55m (typ.) @ VGS=-1.8VTop View of SOT-23-3 Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications G Power Management in Notebook Com
apm2317ac.pdf

APM2317ACwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIO
apm2317.pdf

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., LtdAPM2317 P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -20V/-4.5A ,RDS(ON)=28m (typ.) @ VGS=-4.5VRDS(ON)=38m (typ.) @ VGS=-2.5V RDS(ON)=55m (typ.) @ VGS=-1.8V Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications G Power Management
apm2318a.pdf

APM2318AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/3A ,DRDS(ON)=35m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=40m(typ.) @ VGS=4.5VGRDS(ON)=60m(typ.) @ VGS=2.5VS Super High Dense Cell Design Top View of SOT-23 Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in
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History: SI4542DY | IXTH1R8N220P3HV | R6007ENX
History: SI4542DY | IXTH1R8N220P3HV | R6007ENX



Liste
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