APM2317A Todos los transistores

 

APM2317A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APM2317A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

APM2317A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:650K  sino
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APM2317A

APM2317A P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -20V/-4.5A ,DRDS(ON)=28m (typ.) @ VGS=-4.5VSRDS(ON)=38m (typ.) @ VGS=-2.5VG RDS(ON)=55m (typ.) @ VGS=-1.8VTop View of SOT-23-3 Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications G Power Management in Notebook Com

 0.1. Size:854K  cn vbsemi
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APM2317A

APM2317ACwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIO

 7.1. Size:403K  shenzhen
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APM2317A

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., LtdAPM2317 P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -20V/-4.5A ,RDS(ON)=28m (typ.) @ VGS=-4.5VRDS(ON)=38m (typ.) @ VGS=-2.5V RDS(ON)=55m (typ.) @ VGS=-1.8V Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications G Power Management

 8.1. Size:133K  anpec
apm2318a.pdf pdf_icon

APM2317A

APM2318AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/3A ,DRDS(ON)=35m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=40m(typ.) @ VGS=4.5VGRDS(ON)=60m(typ.) @ VGS=2.5VS Super High Dense Cell Design Top View of SOT-23 Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPD90N06S4-05 | FDMS3660AS | KRF7343 | UF4N20 | UT20N03 | S68N08ZRN | WPM4801

 

 
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