APM2317A - описание и поиск аналогов

 

APM2317A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APM2317A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для APM2317A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APM2317A даташит

 ..1. Size:650K  sino
apm2317a.pdfpdf_icon

APM2317A

APM2317A P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -20V/-4.5A , D RDS(ON)=28m (typ.) @ VGS=-4.5V S RDS(ON)=38m (typ.) @ VGS=-2.5V G RDS(ON)=55m (typ.) @ VGS=-1.8V Top View of SOT-23-3 Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications G Power Management in Notebook Com

 0.1. Size:854K  cn vbsemi
apm2317ac.pdfpdf_icon

APM2317A

APM2317AC www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIO

 7.1. Size:403K  shenzhen
apm2317.pdfpdf_icon

APM2317A

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd APM2317 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -20V/-4.5A , RDS(ON)=28m (typ.) @ VGS=-4.5V RDS(ON)=38m (typ.) @ VGS=-2.5V RDS(ON)=55m (typ.) @ VGS=-1.8V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications G Power Management

 8.1. Size:133K  anpec
apm2318a.pdfpdf_icon

APM2317A

APM2318A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/3A , D RDS(ON)=35m (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=40m (typ.) @ VGS=4.5V G RDS(ON)=60m (typ.) @ VGS=2.5V S Super High Dense Cell Design Top View of SOT-23 Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant) D Applications G Power Management in

Другие MOSFET... SED4060GM , SED5852 , SED8830A , SED8840 , APM2300CA , APM2301CA , APM2306A , APM2309A , IRF9640 , APM2324AA , APM2360A , SM1A16PUB , SM1A63NHUC , SM3419NHQA , SM3429BSQA , SM4033NHKP , SM4500NHKP .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.