IRFD9020 Todos los transistores

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IRFD9020 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFD9020

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 68 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 360 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.28 Ohm

Empaquetado / Estuche: HD1

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IRFD9020 Datasheet (PDF)

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3.1. irfd9024.pdf Size:178K _international_rectifier

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3.2. irfd9024pbf.pdf Size:1837K _international_rectifier

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PD- 95922 IRFD9024PbF Lead-Free 10/27/04 Document Number: 91137 www.vishay.com 1 IRFD9024PbF Document Number: 91137 www.vishay.com 2 IRFD9024PbF Document Number: 91137 www.vishay.com 3 IRFD9024PbF Document Number: 91137 www.vishay.com 4 IRFD9024PbF Document Number: 91137 www.vishay.com 5 IRFD9024PbF Document Number: 91137 www.vishay.com 6 IRFD9024PbF Peak Diode Recove

3.3. irfd9024 sihfd9024.pdf Size:1688K _vishay

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IRFD9024, SiHFD9024 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) (?)VGS = - 10 V 0.28 For Automatic Insertion RoHS* Qg (Max.) (nC) 19 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 5.4 P-Channel Qgd (nC) 11 Fast Switching Configuration Single 175 C Operating Temperature S Compliant to

Otros transistores... 2SK3653 , FCB20N60 , 2SK3057 , 2SK3469-01MR , FCB20N60F , FCB36N60N , 2SJ279 , FCD4N60 , IRF520 , FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , STU816S , FCD9N60NTM , STU802S , FCH22N60N , STU670S .

 


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